CSA、CASA“紫外光电器件培训会”在扬州成功举办
CSA标委会 2019.08.08CSA、CASA“紫外光电器件培训会”在扬州成功举办
来源：标委会 时间 2019-08-08
8月8日，由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办的“紫外光电器件培训会”在扬州会议中心成功举办，40余家单位代表参加了培训。CSA常务副秘书长阮军出席会议并致辞，与北京大学沈波教授、厦门大学康俊勇教授、南京大学陆海教授共同主持了本次培训会。
CSA 常务副秘书长 阮军
CSA常务副秘书长阮军在致辞中表示，紫外光电器件作为半导体照明产业新的市场方向，具有广阔的应用前景。为行业了解紫外LED及探测器技术进展，培养掌握理论、实践综合知识的高素质复合人才，联盟组织邀请了紫外光电从外延、芯片、封装等领域的教授、专家开展此次培训会，感谢诸位专家老师能百忙之中安排时间授课，希望参与培训的学员能够充分抓住此次学习机会，与专家老师们深入交流，掌握先进技术同时，也为企业和产业贡献力量。
会议现场
氮化物半导体在半导体照明、新一代移动通讯、新一代通用电源、雷达新能源汽车等领域有重大应用，对国家的产业升级、节能减排、国防安全具有战略意义。同时，氮化物半导体也是全球高技术竞争的关键领域之一，其中AlN和高Al组分AlGaN是固态和紫外发光不可替代的半导体材料。
北京大学 沈波教授
北京大学理学部副主任、宽禁带半导体中心副主任沈波教授分享《蓝宝石上AIN的外延生长和深紫外LED器件的研究》。报告中指出，由于异质外延和体系内部大失配、强极化的特性，AlN、高Al组分AlGaN及其量子结构的外延生长和DUV-LED研制依然面临一系列关键科学和技术问题，需要开展更为系统的研究。采用高温退火和“小合拢区NPSS侧向外延”方法制备出高质量AlN和高Al组分AlGaN外延层，AlN层XRD摇摆曲线半高宽为132(002)/140（102）arcsec，i-AlNGaN层（58%Al组分）为151（002）/235（102）arcsec；发光波长279nm，IQE超过80%。
厦门大学 康俊勇教授
厦门大学康俊勇教授分享《紫外LED发光机理和科学问题》主题报告。报告中首先介绍了半导体紫外光源优势，对LED发光机理及半导体/金属电极欧姆接触、注入效率、内量子效率、出光效率、效率下降、非平衡生长等科学要点问题进行了详细讲解。
华中科大学 陈长清教授
发展深紫外LED产业意义重大，完全符合国家发展战略。华中科技大学陈长清教授分享《紫外LED技术及应用》主题报告。报告中指出，紫外光源市场中，传统汞灯正逐步被UV-LED取代，紫外UV-LED在光固化、光疗、杀菌消毒的领域已成为未来技术发展趋势。近紫外LED固化市场处于快速增长期，CAGR~23%，深紫外LED杀菌净化市场处于爆发性增长初期，CAGR~210%。近紫外LED技术较为成熟并发展迅速，已应用于喷绘、胶印、光纤、液晶等领域的光固化。实现芯片及光源系统的光、热和结构协同匹配优化成为工作重点。深紫外LED芯片性能仍需提高，制备高质量的AlGaN材料和提高芯片光提取效率将是未来深紫外LED的研究重点。
南京大学 陆海教授
南京大学陆海教授详解《紫外光电探测器技术及应用》主题报告。首先从技术应用背景与需求，紫外探测器分类与基础知识，紫外探测器技术发展现状，面临的科学与技术问题详细展开。常规结构GaN基和SiC紫外探测器已经达到产业化水平，并在不断拓展新型应用；用于材料成熟度较高，SiC紫外单光子探测器已经可以实现较好的性能；宽禁带紫外单光子探测技术正向“成像阵列”方向发展。宽禁带光电探测器在EUV和软x射线探测领域可能有新进展。
华中科技大学 陈明祥教授
华中科技大学陈明祥教授介绍《紫外/深紫外LED封装技术》研究报告。他表示，紫外LED技术优势明显，已替代汞灯成为新一代紫外光源。浅紫外LED可采用白光 LED封装技术（材料/结构/工艺），主要应用于光固化、光催化、防伪等领域；深紫外LED必须采用全无机封装材料，气密封装、低温焊接，与提高光效是其技术关键；深紫外LED器件主要应用于杀菌/消毒，在流动空气与水体，净化领域前景广阔。可靠性和成本是影响深紫外LED器件应用的主要因素。
北京华创智道知识产权咨询服务公司 副总裁 褚战星
北京华创智道知识产权咨询服务公司副总裁禇战星分享了《UVLED专利技术分析》专题报告。全球专利快速增长，进入布局黄金时期。照明、消毒、医疗等应用是未来布局重点。美、日、韩进入中国步伐加快。他建议，就UVLED技术专利布局要做好产业知识产权风险应对工作，建立起产业知识产权主场优势，关注跟踪主要竞争对手全球布局，加强该产业专利全球布局。
东莞市国瓷新材料科技有限公司 吴朝晖博士
东莞市国瓷新材料科技有限公司吴朝晖博士带来了《UVLED陶瓷封装基板及封装技术》主题报告。据了解，2022年全球UVLED市值将达到12.3亿美金，其中深紫外LED将达到9亿美元，对应的陶瓷基板市值约2亿美金，年复合增长率74%。未来深紫外封装技术朝向更高能量密度发展，并且深紫外LED市场面临消费者对其功能性、安全性、便利性和性价比四大因素的综合考量。
中国科学院半导体研究所 魏学成研究员
中国科学院半导体研究所魏学成研究员分享了《紫外光电器件及应用标准综述》主题报告，从紫外光源器件技术与市场概况、紫外LED应用领域、紫外技术标准概况、UV LED标准体系四方面进行展开。他介绍，目前UV LED市场的主要应用还是固化（2018年市场规模约1.2亿美元，占比大约58%）；从2021年开始，UVC LED性能逐渐提升，消毒净化的市场将崛起并逐渐取代固化应用的统治地位（预测2021年市场规模约2.4亿美元，占比大约56%）。深紫外LED面临晶体质量差、电注入效率低、极化效应、低的光提取效率技术瓶颈。
最后，CSA联盟常务副秘书长阮军做会议总结，他表示，非常感谢各位专家为本次培训会精心准备的培训课件，感谢各企业技术负责人、高校老师、学生报名参加、积极互动，不过本次活动时间安排还是比较紧张，今后联盟将会吸取经验，设置更多问答、互动环节，根据产业热点需求开展此类活动，为行业提供更好的学习、沟通、交流的平台，促进产业发展进步。最后再次感谢大家的参与和对联盟的支持，本次会议圆满完成。
